Новый германский транзистор в четыре раза быстрее, чем текущий транзистор

Согласно сообщениям иностранных СМИ, ученые из MIT разработали новый тип транзистора. Новый транзистор проходит ток через отверстия в атомной структуре материала, которая примерно в четыре раза быстрее, чем текущие транзисторы.

Чтобы увеличить скорость, ученые поместили германия на различные кремниевые слои и кремниевые композитные продукты. Позже атомы Германия объединяли с кремниевыми слоями. Натяжительные материалы заставили самую верхнюю структуру материала быть более компактной, чем их исходные структуры. Это звучит так, как будто мы использовали Rattan, чтобы изменить форму растений.

Компактная структура приводит к более плотному отверстию между немецкими материалами, а скорость транзистора в два раза больше, чем у большинства современных экспериментальных конструкций, а скорость транзистора на рынке составляет 4 раза.